2024-12-08 14:02:16
▲图源英特尔在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractiveRuthenium）最高可将线间电容降低25%，有助于改善芯片内互连。英特尔代工还率先汇报了一种用于先进封装的异构集成解决方案选择性层转移（SelectiveLayerTransfer，SLT），能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chipassembly）。为了进一步推动全环绕栅极（GAA）的微缩，英特尔代工展示了硅基RibbionFETCMOS（互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管（2DFETs）的栅氧化层（gateoxide）模块，以提高设备性能。亚汇网获悉，在IEDM2024上，英特尔代工还分享了对先进封装和晶体管微缩技术未来发展的愿景，以满足包括AI在内的各类应用需求，英特尔称以下三个关键点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：先进内存集成（memoryintegration），以消除容量、带宽和延迟的瓶颈用于优化互连带宽的混合键合模块化系统（modularsystem）及相应的连接解决方案广告声明：文内含有的对外跳转链接（包括不限于超链接、二维码、口令等形式），用于传递更多信息，节省甄选时间，结果仅供参考，亚汇网所有文章均包含本声明。
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